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MG75P12E2 Yangjie Tecnologia Eletrônica IGBT

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Descrição: Transistores - IGBTs - módulos E2

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MG75P12E2

,

Tecnologia Eletrónica Yangjie

,

IGBT

Categoria:
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Tecnologia Yangjie
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
442 W
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.6 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico com freio
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Categoria:
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Tecnologia Yangjie
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
442 W
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.6 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico com freio
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Descrição
MG75P12E2 Yangjie Tecnologia Eletrônica IGBT

Modulo IGBT Inverter trifásico com travão 1200 V 75 A 442 W Montador do chassi

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