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FZ1200R33HE3BPSA1 Infineon IGBT Module Single Switch 1,2 kA

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Descrição: Módulo IGBT 3300V 1200A

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FZ1200R33HE3BPSA1

,

Módulo de IGBT

,

FZ1200R33HE3BPSA1 Infineon

Categoria:
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
A 1200
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
IHM-B
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 1200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
3300 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - limite do colector (máximo):
5 miliampères
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
13000 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
210 nF @ 25 V
Configuração:
Ponte completa
Termistor NTC:
Não
Número do produto de base:
FZ1200
Categoria:
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
A 1200
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
IHM-B
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 1200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
3300 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - limite do colector (máximo):
5 miliampères
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
13000 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
210 nF @ 25 V
Configuração:
Ponte completa
Termistor NTC:
Não
Número do produto de base:
FZ1200
Descrição
FZ1200R33HE3BPSA1 Infineon IGBT Module Single Switch 1,2 kA

Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Full Bridge 3300 V 1200 A 13000 W Módulo montado no chassi

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