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Descrição: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Categoria: |
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
139 A |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Tipo de montagem: |
Montura do chassi |
Pacote: |
Em granel |
Série: |
HEXFRED® |
Embalagem / Caixa: |
SOT-227-4, miniBLOC |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
2.55V @ 15V, 80A |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
1200 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
SOT-227 |
Mfr: |
General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos |
Temperatura de funcionamento: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Corrente - limite do colector (máximo): |
100 μA |
Tipo IGBT: |
Trincheira |
Potência - Máximo: |
658 W |
Input: |
Padrão |
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce: |
4.4 nF @ 25 V |
Configuração: |
Solteiro |
Termistor NTC: |
Não |
Número do produto de base: |
GT80 |
Categoria: |
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
139 A |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Tipo de montagem: |
Montura do chassi |
Pacote: |
Em granel |
Série: |
HEXFRED® |
Embalagem / Caixa: |
SOT-227-4, miniBLOC |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
2.55V @ 15V, 80A |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
1200 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
SOT-227 |
Mfr: |
General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos |
Temperatura de funcionamento: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Corrente - limite do colector (máximo): |
100 μA |
Tipo IGBT: |
Trincheira |
Potência - Máximo: |
658 W |
Input: |
Padrão |
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce: |
4.4 nF @ 25 V |
Configuração: |
Solteiro |
Termistor NTC: |
Não |
Número do produto de base: |
GT80 |
Módulo IGBT Trench Single 1200 V 139 A 658 W Chassis Mount SOT-227
