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Descrição: Módulo IGBT 1200V 335A
Categoria: |
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
335 A |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Tipo de montagem: |
Montura do chassi |
Pacote: |
Em granel |
Série: |
- |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
2.1V @ 15V, 200A |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
1200 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
Modulo |
Mfr: |
SemiQ |
Temperatura de funcionamento: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Corrente - limite do colector (máximo): |
1 mA |
Tipo IGBT: |
- |
Embalagem / Caixa: |
Modulo |
Input: |
Padrão |
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce: |
22.4 nF @ 25 V |
Configuração: |
Inversor de três fases |
Termistor NTC: |
- Sim, sim. |
Número do produto de base: |
GSID200 |
Categoria: |
Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
335 A |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Tipo de montagem: |
Montura do chassi |
Pacote: |
Em granel |
Série: |
- |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
2.1V @ 15V, 200A |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
1200 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
Modulo |
Mfr: |
SemiQ |
Temperatura de funcionamento: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Corrente - limite do colector (máximo): |
1 mA |
Tipo IGBT: |
- |
Embalagem / Caixa: |
Modulo |
Input: |
Padrão |
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce: |
22.4 nF @ 25 V |
Configuração: |
Inversor de três fases |
Termistor NTC: |
- Sim, sim. |
Número do produto de base: |
GSID200 |
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 335 A Módulo montado no chassi
