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MG1275S-BA1MM

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Descrição: Módulo IGBT 1200V 105A 630W S3

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Especificações
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
105 A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo S-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.8V @ 15V, 75A (tipo)
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
S3
Mfr:
Littelfuse Inc.
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
µA 500
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
630 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
5.52 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
Não
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
105 A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo S-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.8V @ 15V, 75A (tipo)
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
S3
Mfr:
Littelfuse Inc.
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
µA 500
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
630 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
5.52 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
Não
Descrição
MG1275S-BA1MM
Módulo IGBT Meia ponte 1200 V 105 A 630 W Montador do chassi S3

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