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DF80R12W2H3FB11BPSA1

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Descrição: IGBT MOD 1200V 20A 20MW

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Especificações
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
20 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPACKTM 2
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 20A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
20 mW
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.35 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
DF80R12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
20 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPACKTM 2
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 20A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
20 mW
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.35 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
DF80R12
Descrição
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Meia ponte 1200 V 20 A 20 mW Módulo montado no chassi

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