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FP100R12KT4B11BOSA1

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Descrição: IGBT MOD 1200V 100A 515W

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Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT	Corrente - colector (Ic) (máximo):	100 A
Estatuto do produto:	Atividade	Tipo de montagem:	Montura do chassi
Pacote:	Caixa	Série:	EconoPIMTM 3
Embalagem / Caixa:	Modulo	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.1V @ 15V, 100A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):	1200 V	Pacote de dispositivos do fornecedor:	Modulo
Mfr:	Tecnologias Infineon	Temperatura de funcionamento:	-40°C ~ 150°C
Corrente - limite do colector (máximo):	1 mA	Tipo IGBT:	Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:	515 W	Input:	Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:	6.3 nF @ 25 V	Configuração:	Inversor de três fases
Termistor NTC:	- Sim, sim.	Número do produto de base:	FP100R12

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):	100 A
Estatuto do produto:	Atividade
Tipo de montagem:	Montura do chassi
Pacote:	Caixa
Série:	EconoPIMTM 3
Embalagem / Caixa:	Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.1V @ 15V, 100A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):	1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:	Modulo
Mfr:	Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:	-40°C ~ 150°C
Corrente - limite do colector (máximo):	1 mA
Tipo IGBT:	Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:	515 W
Input:	Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:	6.3 nF @ 25 V
Configuração:	Inversor de três fases
Termistor NTC:	- Sim, sim.
Número do produto de base:	FP100R12

Descrição

FP100R12KT4B11BOSA1

Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 100 A 515 W Módulo montado no chassi

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