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Descrição: Transmissão por RF NPN 10V 9GHz SOT23-3
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
65 mA |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Frequência - Transição: |
9GHz |
Pacote: |
banda |
Série: |
- |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
10 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
SOT-23-3 |
Mfr: |
CEL |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
1.2 dB @ 1 GHz |
Potência - Máximo: |
200mw |
Ganho: |
15 dB |
Embalagem / Caixa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamento: |
150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
50 @ 20mA, 8V |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
65 mA |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Frequência - Transição: |
9GHz |
Pacote: |
banda |
Série: |
- |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
10 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
SOT-23-3 |
Mfr: |
CEL |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
1.2 dB @ 1 GHz |
Potência - Máximo: |
200mw |
Ganho: |
15 dB |
Embalagem / Caixa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamento: |
150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
50 @ 20mA, 8V |
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