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Descrição: RF TRANS NPN 15V 1GHz 8SOIC
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
1.2A |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Frequência - Transição: |
1 GHz |
Pacote: |
Tubos |
Série: |
- |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
15 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
8-SOIC-EP |
Mfr: |
Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
3.3dB @ 836MHz |
Potência - Máximo: |
6.4W |
Ganho: |
110,6 dB |
Embalagem / Caixa: |
Almofada exposta 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) |
Temperatura de funcionamento: |
150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
100 @ 250 mA, 3 V |
Número do produto de base: |
MAX2601 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
1.2A |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Frequência - Transição: |
1 GHz |
Pacote: |
Tubos |
Série: |
- |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
15 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
8-SOIC-EP |
Mfr: |
Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
3.3dB @ 836MHz |
Potência - Máximo: |
6.4W |
Ganho: |
110,6 dB |
Embalagem / Caixa: |
Almofada exposta 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) |
Temperatura de funcionamento: |
150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
100 @ 250 mA, 3 V |
Número do produto de base: |
MAX2601 |
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