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Descrição: Transistor de RF, NPN
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
80mA |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Frequência - Transição: |
8GHz |
Pacote: |
Em granel |
Série: |
Automóveis, AEC-Q101 |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
12 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
PG-SOT23-3-4 |
Mfr: |
Tecnologias Infineon |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
1 dB ~ 1,6 dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz |
Potência - Máximo: |
580 mW |
Ganho: |
15 dB |
Embalagem / Caixa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamento: |
150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
70 @ 30mA, 8V |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
80mA |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Frequência - Transição: |
8GHz |
Pacote: |
Em granel |
Série: |
Automóveis, AEC-Q101 |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
12 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
PG-SOT23-3-4 |
Mfr: |
Tecnologias Infineon |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
1 dB ~ 1,6 dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz |
Potência - Máximo: |
580 mW |
Ganho: |
15 dB |
Embalagem / Caixa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamento: |
150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
70 @ 30mA, 8V |
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