Detalhes do produto
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Descrição: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
50 mA |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Através do Buraco |
Frequência - Transição: |
650MHz |
Pacote: |
Caixa e fita (TB) |
Série: |
- |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
25 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
TO-92-3 |
Mfr: |
semi- |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
- |
Potência - Máximo: |
350mW |
Ganho: |
- |
Embalagem / Caixa: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações |
Temperatura de funcionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
60 @ 4mA, 10V |
Número do produto de base: |
MPSH10 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores de RF bipolares |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
50 mA |
Estatuto do produto: |
Obsoletos |
Tipo de transistor: |
NPN |
Tipo de montagem: |
Através do Buraco |
Frequência - Transição: |
650MHz |
Pacote: |
Caixa e fita (TB) |
Série: |
- |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
25 V |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
TO-92-3 |
Mfr: |
semi- |
Figura de ruído (dB Typ @ f): |
- |
Potência - Máximo: |
350mW |
Ganho: |
- |
Embalagem / Caixa: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações |
Temperatura de funcionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
60 @ 4mA, 10V |
Número do produto de base: |
MPSH10 |
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