IRG7PH50K10DPBF

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Descrição: Transistores IGBT 1200V UltraFast Discreto IGBT

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Especificações

Descrição

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Corrente de vazamento do emissor da porta::	nA 100	Categoria de produtos::	Transistores IGBT
Estilo de montagem::	Através do Buraco	Corrente contínua do colector a 25oC::	90 A
Paládio - dissipação de poder::	400 W	Voltagem do colector-emissor VCEO Max::	1200 V
Embalagem / Caixa::	TO-247AC-3	Temperatura máxima de funcionamento::	+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::	+/- 30 V	Embalagem::	Tubos
Configuração::	Solteiro	Voltagem de saturação do colector-emissor::	2,4 V
Fabricante::	IR / Infineon

Corrente de vazamento do emissor da porta::	nA 100
Categoria de produtos::	Transistores IGBT
Estilo de montagem::	Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::	90 A
Paládio - dissipação de poder::	400 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::	1200 V
Embalagem / Caixa::	TO-247AC-3
Temperatura máxima de funcionamento::	+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::	+/- 30 V
Embalagem::	Tubos
Configuração::	Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::	2,4 V
Fabricante::	IR / Infineon

Descrição

IRG7PH50K10DPBF

O IRG7PH50K10DPBF, da IR / Infineon, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!

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