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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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NGTG15N60S1EG

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Descrição: Transistores IGBT 15A 600V IGBT

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Especificações
Destacar:
Corrente de vazamento do emissor da porta::
nA 100
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
30 A
Paládio - dissipação de poder::
47 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
600 V
Embalagem / Caixa::
TO-220
Embalagem::
Tubos
Voltagem máxima do emissor da porta::
20 V
Voltagem de saturação do colector-emissor::
1,95 V
Fabricante::
semi-
Corrente de vazamento do emissor da porta::
nA 100
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
30 A
Paládio - dissipação de poder::
47 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
600 V
Embalagem / Caixa::
TO-220
Embalagem::
Tubos
Voltagem máxima do emissor da porta::
20 V
Voltagem de saturação do colector-emissor::
1,95 V
Fabricante::
semi-
Descrição
NGTG15N60S1EG
O NGTG15N60S1EG, da onsemi, são transistores IGBT. o que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!

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