IXBF55N300

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Descrição: Transistores IGBT de alta tensão BIMOSFET de ganho elevado

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Especificações

Descrição

Especificações

Destacar:

Corrente de vazamento do emissor da porta::	+/- 200 nA	Categoria de produtos::	Transistores IGBT
Estilo de montagem::	Através do Buraco	Corrente contínua do colector a 25oC::	86 A
Paládio - dissipação de poder::	357 W	Voltagem do colector-emissor VCEO Max::	3 QUILOVOLTS
Embalagem / Caixa::	ISOPLUS i4-Pak-3	Temperatura máxima de funcionamento::	+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::	+/- 25 V	Configuração::	Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::	2,7 V	Fabricante::	IXYS

Corrente de vazamento do emissor da porta::	+/- 200 nA
Categoria de produtos::	Transistores IGBT
Estilo de montagem::	Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::	86 A
Paládio - dissipação de poder::	357 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::	3 QUILOVOLTS
Embalagem / Caixa::	ISOPLUS i4-Pak-3
Temperatura máxima de funcionamento::	+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::	+/- 25 V
Configuração::	Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::	2,7 V
Fabricante::	IXYS

Descrição

IXBF55N300

O IXBF55N300, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!

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