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Descrição: Transistores IGBT 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
Corrente de vazamento do emissor da porta:: |
nA 100 |
Categoria de produtos:: |
Transistores IGBT |
Estilo de montagem:: |
Através do Buraco |
Corrente contínua do colector a 25oC:: |
40 A |
Paládio - dissipação de poder:: |
125 W |
Voltagem do colector-emissor VCEO Max:: |
600 V |
Embalagem / Caixa:: |
TO-247-3 |
Temperatura máxima de funcionamento:: |
+ 175 C |
Embalagem:: |
Tubos |
Voltagem máxima do emissor da porta:: |
20 V |
Voltagem de saturação do colector-emissor:: |
1,9 V |
Fabricante:: |
Tecnologias Infineon |
Corrente de vazamento do emissor da porta:: |
nA 100 |
Categoria de produtos:: |
Transistores IGBT |
Estilo de montagem:: |
Através do Buraco |
Corrente contínua do colector a 25oC:: |
40 A |
Paládio - dissipação de poder:: |
125 W |
Voltagem do colector-emissor VCEO Max:: |
600 V |
Embalagem / Caixa:: |
TO-247-3 |
Temperatura máxima de funcionamento:: |
+ 175 C |
Embalagem:: |
Tubos |
Voltagem máxima do emissor da porta:: |
20 V |
Voltagem de saturação do colector-emissor:: |
1,9 V |
Fabricante:: |
Tecnologias Infineon |
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