NGD8201ANT4G

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Descrição: Transistores IGBT NGD8201ANT4G GEN4 IGBT

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Especificações

Descrição

Especificações

Destacar:

Corrente de vazamento do emissor da porta::	300 A	Categoria de produtos::	Transistores IGBT
Estilo de montagem::	SMD/SMT	Corrente contínua do colector a 25oC::	20 A
Paládio - dissipação de poder::	125 W	Voltagem do colector-emissor VCEO Max::	440 V
Embalagem / Caixa::	DPAK	Temperatura máxima de funcionamento::	+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta::	15 V	Embalagem::	Reel
Configuração::	Solteiro	Voltagem de saturação do colector-emissor::	1,5 V
Fabricante::	Littelfuse

Corrente de vazamento do emissor da porta::	300 A
Categoria de produtos::	Transistores IGBT
Estilo de montagem::	SMD/SMT
Corrente contínua do colector a 25oC::	20 A
Paládio - dissipação de poder::	125 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::	440 V
Embalagem / Caixa::	DPAK
Temperatura máxima de funcionamento::	+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta::	15 V
Embalagem::	Reel
Configuração::	Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::	1,5 V
Fabricante::	Littelfuse

Descrição

NGD8201ANT4G

O NGD8201ANT4G, da Littelfuse, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!

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