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IRG4PH40UPBF

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Descrição: Transistores IGBT 1200V UltraFast 5-40kHz

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Especificações
Destacar:
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
30 A
Paládio - dissipação de poder::
160 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
3,5 V
Fabricante::
Tecnologias Infineon
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
30 A
Paládio - dissipação de poder::
160 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 20 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
3,5 V
Fabricante::
Tecnologias Infineon
Descrição
IRG4PH40UPBF
O IRG4PH40UPBF, da Infineon Technologies, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!

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