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IRG7PSH54K10DPBF

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Especificações
Destacar:
Corrente de vazamento do emissor da porta::
nA 200
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
120 A
Paládio - dissipação de poder::
520 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1200 V
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 30 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
2,4 V
Fabricante::
IR / Infineon
Corrente de vazamento do emissor da porta::
nA 200
Categoria de produtos::
Transistores IGBT
Estilo de montagem::
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC::
120 A
Paládio - dissipação de poder::
520 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max::
1200 V
Embalagem / Caixa::
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Voltagem máxima do emissor da porta::
+/- 30 V
Embalagem::
Tubos
Configuração::
Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor::
2,4 V
Fabricante::
IR / Infineon
Descrição
IRG7PSH54K10DPBF
O IRG7PSH54K10DPBF, da IR / Infineon, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!

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